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打破技術瓶頸 核心CMOS技術有望突破微細化
2012-12
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日前”IEDM2012”上英特爾提出了CMOS晶體管的微細化極限提升的可能性，對于眾多苦痛掙扎的影像廠商來說，這條消息的推出無疑是給目前掙扎在生死線上的數碼相機廠商看到了一絲曙光。
從原文尖酸的難懂的文字中，我們不難發現英特爾已經將微細化極限的這個課題的工作方向明確下來。從元器件的材料到工藝上的選擇都已經預設了兩到三個方向，同時最后表示就目前在硅晶圓上已經能夠集成數量超過銀河系所有星體的晶體管，今后也早晚能夠集成數量超過整個宇宙所有星體的晶體管。
但全文沒有提及具體的設計時間和開發時間，徘徊在懸崖邊緣的這部分影像類企業需要再堅持一段時間了。
原文參見如下：
【日經BP社報道】英特爾在“IEDM2012”上展望了使CMOS晶體管的微細化持續至極限水平所需要的要素技術、相關課題以及后CMOS器件技術(論文編號：8.1)。要想使CMOS晶體管的微細化能夠持續發展至極限水平，抑制短溝效應、導入高遷移率溝道、降低寄生電阻尤為重要。在后CMOS器件方面，英特爾認為加劇電流上升的SteepSlopeFET以及自旋器件的前景光明。
在抑制短溝道效應的方法中，環柵(GAA)構造的SiMOSFET以及碳納米管FET最有希望。不過，GAA構造的SiMOSFET存在載流子散亂導致溝道遷移率下降的課題，碳納米管FET也存在截止泄漏電流大的課題。
在高遷移率溝道方面，英特爾認為在pMOS領域SiGe、Ge、GeSn為有力候補，在nMOS領域III-V族化合物半導體為有力候補。存在的課題是需要確立如何形成高品質柵極絕緣膜的技術。另一方面，英特爾指出，要想降低寄生電阻，降低源/漏電阻尤為重要。對于這一課題，雖然在源/漏部導入金屬材料的方法有效，但必須要克服工作特性隨肖特基勢壘的高低而改變的問題。
在作為后CMOS器件候補的SteepSlopeFET方面，英特爾將TunnelFET及納米繼電器列為候補。TunnelFET的課題在于如何控制異種材料的異質結構，而納米繼電器則需要確立微細化技術。
作為后CMOS器件的另一候補技術，自旋器件是一種不依存于電荷的新型器件。由于能夠以傳輸磁化方向的方法來傳輸信號，因此與基于電荷的器件相比可獲得面積更小、功耗更低，并且非易失等優點。但需要提高工作速度。
英特爾同時就CMOS晶體管的微細化極限以及后CMOS器件表示，“從過去的歷史來看，我們堅信一定能開發出更高明的實現方法”。“目前在硅晶圓上已經能夠集成數量超過銀河系所有星體的晶體管，今后也早晚能夠集成數量超過整個宇宙所有星體的晶體管”。
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